Матрица IGBT преобразователя частоты 75A 1200В FP75R12KE3 (Код: FP75R12KE3)

Фото Матрица IGBT преобразователя частоты
zoom Увеличить изображение
Фото Матрица IGBT преобразователя частоты Схема матрицы IGBT преобразователя частоты Габаритные размеры матрицы IGBT преобразователя частоты

Матрица IGBT FP75R12KE3 преобразователя частоты: 75A, 1200В;

Матрица IGBT- это сборка силовых элементов преобразователя частоты на основе IGBT транзисторов. Схема матрицы FP75R12KE3 показана на рис.1. На многослойной подложке собраны полупроводниковые ключи трехфазного выпрямителя, управляющие нагрузкой на выходе инвертора. Также в состав матриц может входить: датчик температуры, транзистор тормозного прерывателя и схема управления ключами. Матрица IGBT - это основной элемент силовой части ПЧ.

Схема матрицы IGBT FP75R12KE3 (Рис.1)FP75R12KE3

Характеристики Матрицы IGBT FP75R12KE3

* Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В;
* Максимальный продолжительный ток: 75А;
* Рассеиваемая мощность коллектора: 210Вт;
* Габариты: 122х62х20,5 мм;
* Используется в моделях ПЧ: Веспер EI-7-9011-020H, E2-8300-015H;
* Транзисторный ключ для тормозного резистора: есть;
* Возможный аналог: нет;

Скачать документацию для матрицы IGBT FP75R12KE3 
  Техническая спецификация (DataSheet) 0.65Mb
Цена: 0 руб.
в т.ч. 20 % НДС
Количество:  В корзину