Матрица IGBT BSM35GP120G преобразователя частоты: 35A, 1200В;
Матрица IGBT- это сборка силовых элементов преобразователя частоты на основе IGBT транзисторов. Схема матрицы BSM35GP120G показана на рис.1. На многослойной подложке собраны полупроводниковые ключи трехфазного выпрямителя, управляющие нагрузкой на выходе инвертора. Также в состав матриц может входить: датчик температуры, транзистор тормозного прерывателя и схема управления ключами. Матрица IGBT - это основной элемент силовой части ПЧ.
Схема матрицы IGBT BSM35GP120G (Рис.1)
Характеристики Матрицы IGBT BSM35GP120G
* Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В;
* Максимальный продолжительный ток: 35А;
* Рассеиваемая мощность коллектора: 240Вт;
* Габариты: 107,5х45х20,5 мм;
* Используется в моделях ПЧ: Веспер E2-8300-007H, E3-8100-007H, E3-8100-010H;
* Транзисторный ключ для тормозного резистора: есть;
* Возможный аналог: 7MBR35SB120;
Скачать документацию для матрицы IGBT BSM35GP120G |
Техническая спецификация (DataSheet) |
|
0.65Mb |